ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್

electronics, reliance digital near me, electronics store near me, foldable phone, electronics shop near me, ,ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್

ಮೊದಲು ಇದನ್ನು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಸ್ವಭಾವ ಹಾಗೂ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಚಲನೆ ವಿವರಿಸಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಯಿತು .

ಇಂದು  ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ( ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಿಕ ) ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿಯೂ ವಿಸ್ತರಗೊಂಡಿದೆ . ಈ ಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಿಂದ ವಿಶಾಲ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಕೈಗಾರಿಕೆ ಮತ್ತು ರಕ್ಷಣಾವ್ಯವಸ್ಥೆಗೆ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿದೆ .

ವೈದ್ಯಕೀಯ ಹಾಗೂ ದೂರಸಂಪರ್ಕ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಕಷ್ಟು ಪ್ರಗತಿಹೊಂದಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿದೆ .  ಇತ್ತೀಚಿನ ಮುನ್ನಡೆಯಲ್ಲಿ ಡಿಜಿಟಲ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು , ಮೈಕೊಪ್ರೊಸೆಸ್ಟರ್‌ಗಳು , ಡಿಜಿಟಲ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್‌ಗಳು , ದ್ಯುತಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಗಳು , ಲೇಸರ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೋ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮುಂತಾದವುಗಳು ಒಳಪಟ್ಟಿವೆ .

ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅವಾಹಕಗಳ ಬಗ್ಗೆ ತಿಳಿದಿರುವಿರಿ , ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವಾಹಕ ಹಾಗೂ ಮಂದವಾಹಕಗಳ ಬಗ್ಗೆಯೂ ಬಲ್ಲಿರಿ . ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ , ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿನ ಚಲಿಸುವ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳೇ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಉಷ್ಣ ವಾಹಕ ಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಭಾಗವಹಿಸುತ್ತವೆ .

ವಾಹಕಗಳು , ನಿರೋಧಕಗಳೆರಡೂ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳ ಭಾಗಗಳು .

ಉದಾಹರಣೆ – ಟೆಸ್ಟರ್ . ಇದರಲ್ಲಿನ ಲೋಹದ ದಂಡವು ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅದರ ಮೇಲೆ ಹಿಡಿಕೆ ಅವಾಹಕ

ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಯಾವುವು ?

ತಾಮ್ರ ಅಥವಾ ಬೆಳ್ಳಿಯಂತಹ ಲೋಹಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವಾಹಕಗಳೆಂದು ಹಾಗೂ ಗ್ಲಾಸ್ , ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ನಂತಹ ವಸ್ತುಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಅವಾಹಕಗಳೆಂದೂ ನೀವು ತಿಳಿದಿರುವಿರಿ , ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮನಿಯಮ್‌ನಂತಹ ಕೆಲವು ವಸ್ತುಗಳು ಒಳ್ಳೆಯ ವಾಹಕಗಳೂ ಅಲ್ಲ ಮತ್ತು ಅವಾಹಕಗಳು ಅಲ್ಲ .

ಅವುಗಳ ವಾಹಕತ್ವವು ವಾಹಕಗಳ ಮತ್ತು ಅವಾಹಕಗಳ ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ . ಇಂತಹವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಅರೆವಾಹಕಗಳೆಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ . ಈ ಅನನ್ಯ ಗುಣವಿಶೇಷಗಳ ಕಾರಣ ಇವುಗಳು ಪ್ರಾಮುಖ್ಯ ಪಡೆದಿವೆ .

ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಭಿನ್ನತೆಯನ್ನು ಕೆಳಕಂಡಂತೆ ತಿಳಿಯಬಹುದು

ಈ ಗುಣಗಳನ್ನು ಈ ವಸ್ತುಗಳ ಅಣುಗಳ ರಚನೆಯಿಂದ ತಿಳಿಯಬಹುದು . ಪರಮಾಣುವಿನಲ್ಲಿಯ ಚಲಿಸುವ ವೇಲೆನ್ಸ್ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆಯು ಸಾಧ್ಯ .

ಆದರೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮನಿಯಮ್ ಹರಳುಗಳಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ಕೋವೆಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುತ್ತವೆ ( ಕೋವಲೆಂಟ್ ಬಂಧ ನೆನಪಿಸಿಕೊಳ್ಳಿ ) . ಸಿಲಿಕಾನ್ ನಾಲ್ಕು ವೇಲ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು ಅದು ತನ್ನ ಸುತ್ತಲೂ ನಾಲ್ಕು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿದೆ .

ಯಾವುದೇ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನು ಸ್ವತಂತ್ರವಲ್ಲ . ಆದರೂ ಸಾಮಾನ್ಯ ಉಷ್ಣತೆಯಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಪರಿಸರದಲ್ಲಿನ ಉಷ್ಣವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಂಡು ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ತುಸು ವಾಹಕತೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವವು . ಈ ಹರಳುಗಳ ತಾಪ ಹೆಚ್ಚಾದಂತೆ ವಾಹಕತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ .

ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತೆ

ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮನಿಯಮ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅತೀ ಹೊರಗಿನ ಕವಚ ( Shell ) ದಲ್ಲಿ ಮಲ್ಲು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿವೆ . ಈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುವುದರಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿಲ್ಲ .

ಆದ್ದರಿಂದ ಈ ಧಾತುಗಳು ಅವಾಹಕಗಳಂತೆ ವರ್ತಿಸುತ್ತವೆ . ಆದರೂ ಉಷ್ಣದಂತಹ ಅಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣದ ಶಕ್ತಿಯು ಕೋವೇಲಂಟ್ ಬಂಧಗಳನ್ನು ಒಡೆದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನನ್ನು ಚಲಿಸಲು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಬಹುದು .

ಹೀಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿಯೂ ಸಾಕಷ್ಟು ಸಂಖ್ಯೆಯ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಪರಮಾಣುಗಳಿಂದ ವಿಯೋಜಿಸಲ್ಪಡುತ್ತವೆ , ಉಷ್ಣದ ಹೆಚ್ಚಳದೊಂದಿಗೆ ಇವುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯೂ ಹೆಚ್ಚುತ್ತದೆ . ಈ ಕಾರಣದಿಂದ ಇವು ವಾಹಕತ್ವವನ್ನು ಕ್ರಮೇಣ ಹೆಚ್ಚಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ .

ಸಹವೇಲನೀಯ ಬಂಧದಿಂದ ಒಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನು ಬೇರ್ಪಟ್ಟಾಗ ಧನಾವೇಶಕ್ಕೆ ಸಮನಾದ ಖಾಲಿ ಅವಕಾಶವುಂಟಾಗುತ್ತದೆ .

ನೆರೆಯ ಪರಮಾಣುವಿನಿಂದ ಬೇರೊಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನು ಈ ಖಾಲಿ ಅವಕಾಶದಲ್ಲಿ ಬಿದ್ದಾಗ , ನೆರೆಯ ಪರಮಾಣುವಿನಲ್ಲಿ ಖಾಲಿ ಅವಕಾಶವುಂಟಾಗುವುದು .

ಈ ರೀತಿ ಖಾಲಿ ಅವಕಾಶವು ಚಲಿಸಬಲ್ಲದು . ಹಾಗೂ ಧನ ಅವೇಶ ವಾಹಕವಾಗಿ ಕಾರ್ಯ ನಿರ್ವಹಿಸಬಲ್ಲದು . ಇದಕ್ಕೆ ರಂಧ್ರ ( Hole ) ಎಂದು ಹೆಸರು .

ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಿಧಗಳು

ಒಂದು ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳು ಎಂಬ ಎರಡು ಬಗೆಯ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕಗಳಿರುತ್ತವೆ . ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ ಹರಿಯುವ ಒಟ್ಟು ವಿದ್ಯುತವಾಹವು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಚಲನೆಯಿಂದುಂಟಾದ ವಿದ್ಯುತವಾಹ ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳಿಂದಾಗುವ ಚಲನೆಯಿಂದುಂಟಾಗುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹಗಳ ಮೊತ್ತಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ .

ಸಂಖ್ಯೆಯಲ್ಲಿರುತ್ತವೆ . ಇಂತಹ ಆರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನುತ್ತಾರೆ . ಒಂದು ಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳು ( holes ) ಸಮಾನ ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕಗಳು

ಆಶುದ್ಧ  ಅರೆವಾಹಕಗಳು

ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಬೆರಕೆ ( ಇತರ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಿ ) ಮಾಡಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು ಈ ಬೆರಕೆಗಳಿಗೆ ಡೋಪೆಂಟ್ ಎಂದು ಹೆಸರು . ಇದರಿಂದ ಲಭಿಸುವ ಆರೆವಾಹಕವನ್ನು ಅಸಹಜ ( ಆಶುದ್ಧ ) ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ .

ಕೆಲವು ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿಯ ಮತ್ತು ಪಂಚವೇಲೆನ್ಸಿಯ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಶುದ್ಧ ವಾಹಕಗಳ ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾನ್‌ಗೆ ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುವ ಅರವಾಹಕಗಳೇ ಅಸಹಜ ಅರೆವಾಹಕಗಳು , ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಗೆ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಬೆರೆಸುವ ಕ್ರಿಯೆಗೆ ಡೋಪಿಂಗ್ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ .

ಆಶುದ್ಧ ಆರೆವಾಹಕಗಳ ವಿಧಗಳು

ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಅವುಗಳಲ್ಲಿರುವ ಬೆರಕೆಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಎರಡು ವಿಧಗಳಾಗಿ ವರ್ಗಿಕರಿಸಲಾಗಿದೆ .

ಇವುಗಳನ್ನು ಡೈಯೋಡ್ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ .

1. N ರೀತಿಯ ಅರವಾಹಕಗಳು

ಪಂಚವೇಲೆನ್ಸಿಯ ಪರಮಾಣುಗಳ ಬೆರಕೆಯನ್ನು ಅತಿಸ್ವಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಜರ್ಮನಿಯಮ್ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹರಳಿಗೆ ಸೇರಿಸಿದಾಗ n- ರೀತಿಯು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕಗಳುಂಟಾಗುತ್ತವೆ .

 

ಆರ್ಸೆನಿಕ್ , ಆಂಟಿಮನಿ ಅಥವಾ ರಂಜಕದಂತಹ ಪ ೦ ಚವೇಲೆನಿಯ ಧಾತುವಿನಲ್ಲಿ ಐದು ವೇಲೆನ್ಸಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಇರುತ್ತವೆ . ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಪರಮಾಣುವನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹರಳಿಗೆ ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಬೆರಕೆ ಪರಮಾಣುವಿನ 4 5 ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಲ್ಲಿ 4 ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಅತಿಸಮೀಪದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪರಮಾಣುವಿನೊಡನೆ ಸಹವೇಲನ್ಸಿಯ ಬಂಧನಕ್ಕೊಳಗಾಗುತ್ತವೆ .

ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಪರಮಾಣುವಿನ ಐದನೆಯ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಿಡಿಯಾಗಿ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗುತ್ತದೆ . ಇದರ ಜೊತೆಗೆ ಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕದಂತೆ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ರಂಧ್ರಗಳ ಯುಗವೂ ಇರುತ್ತದೆ . ಆದ ಕಾರಣ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯು ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ .

ಈ ಪ್ರಕಾರ ಪಂಚವೆಲೆನ್ಸಿಯ ಧಾತು ಒಂದು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ನೀಡುವುದರಿಂದ n ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕವುಂಟಾಗುತ್ತದೆ . ಈ ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಬಹುಸಂಖ್ಯೆಯ ವಾಹಕಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳು ಅಲ್ಪಸಂಖ್ಯೆಯ ವಾಹಕಗಳಾಗುತ್ತವೆ .

 

2. p- ರೀತಿಯ ಆರೆವಾಹಕಗಳು

ಬಂಧಗಳನ್ನುಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ . ನಾಲ್ಕನೇ ಬಂಧ ಒಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕೊರತೆಯನ್ನನುಭವಿಸುತ್ತದೆ .

ಈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕೊರತೆಯು ಧನಾವೇಶದಂತೆ ( ರಂಧ್ರ ) ವರ್ತಿಸುತ್ತದೆ . ನೆರೆಯ ಪರಮಾಣುಗಳಿಂದ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಭರ್ತಿಮಾಡುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳ ತೋರಿಕೆ ಚಲನೆ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ .

279 ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿ ಬೆರಕೆಗಳನ್ನು ಶುದ್ಧ ಜರ್ಮನಿಯಮ್ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹರಳಿಗೆ ಸೇರಿಸಿದಾಗ p- ರೀತಿಯ y . V ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕವುಂಟಾಗುತ್ತದೆ . 4 ಬೋರಾನ್ , ಇಂಡಿಯಮ್ ,

ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಅಥವಾ ಅಲ್ಯುಮಿನಿಯಮ್‌ನಂತಹ ತೀವೆಲೆನ್ಸಿಯ ಬೆರಕೆಗಳನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹರಳಿಗೆ ಸೇರಿಸಿದಾಗ , ಪ್ರತಿ ಬೆರಕೆ ಪರಮಾಣುವೂ ನೆರೆಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪರಮಾಣುವಿನಿಂದಿಗೆ ಮೂರು ಕೋವೇಲೆಂಟ್

 

ಈ ಪ್ರಕಾರ ರಂಧ್ರಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಸಾಗಣೆದಾರರಾಗಿ ವರ್ತಿಸುತ್ತವೆ . ಸೇರಿಸಿದ ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿ ಬೆರಕೆಯು ಆರೆವಾಹಕದಿಂದ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ .

ಆದ್ದರಿಂದ ಅರೆವಾಹಕವು P- ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕವಾಗುತ್ತದೆ . ಈ ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ ವಾಹಕತೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ( Majority ) – ಧನಾವೇಶದ ರಂಧ್ರಗಳಿಂದುಂಟಾಗುತ್ತದೆ ಹಾಗೂ ತಾಪದಿಂದುಂಟಾದ ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ( Minority ) ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿಂದಲೂ ವಾಹಕತೆವುಂಟಾಗುತ್ತದೆ .

ಡೈಯೋಡುಗಳು ( ದ್ವಯಾಗ್ರಗಳು )

ಒಂದು ಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕ ಹರಳಿನ ಒಂದು ಭಾಗದಲ್ಲಿ ದಾನಿಬೆರಕೆಯನ್ನು ಇನ್ನೊಂದು ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಸ್ವೀಕಾರಿ ಬೆರಕೆಯನ್ನು ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಮೊದಲ ಭಾಗವು n – ರೀತಿಯ ಇನ್ನೊಂದು ಭಾಗವು p- ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕವಾಗುತ್ತದೆ .

ಇದನ್ನು p – n ಜಂಕ್ಷನ್ ಡೈಯೋಡ್ ಅಥವಾ ಅರೆವಾಹಕ ಡೈಯೋಡ್‌ ( ಸಂಧಿ ದ್ವಯಾಗ ) ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ .

ಮುನ್ನಡೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ

ಒಂದು p – n ಜಂಕ್ಷನ್‌ಗೆ ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುಚ್ಚಾಲಕ ಬಲದ ಆಕರ ಲಗತ್ತಿಸಿದಾಗ ಅದು ಓಲುವೆ ( biased ) ಯಾಗಿದೆ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ . ಲಗತ್ತಿಸಿದ ವೋಲ್ವೇಜ್‌ಗೆ ಓಲುವೆ ವೋಲ್ವೇಜ್ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ .

ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ರೋಶದ ಧನಕುದಿಯನ್ನು p – n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ p ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣತುದಿಯನ್ನು ೧ ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ಮುನ್ನಡೆ ಓಲುವೆ ಎನಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ .

ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ವೇಜ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ವೋಲ್ವೇಜನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ , ಮತ್ತು ಜಂಕ್ಷನ್ ಮೂಲಕ ಆವೇಶ ವಾಹಕಗಳು ಹರಿಯಲು ಸುಗಮವಾಗುತ್ತದೆ .

n ನಿಂದ p ಗೆ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹರಿವು ಮತ್ತು P ಯಿಂದ n ಗೆ ರಂಧ್ರಗಳ ಹರಿವು ಒಂದು ಮುನ್ನಡೆ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ( MA ಪ್ರಮಾಣದ್ದು ) ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ . ಈ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಜಂಕ್ಷನ್ ಅಲ್ಲರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ .

ವಿದ್ಯುತ್ರೋಶದ ಧನತುದಿಯನ್ನು p – n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ 1 ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣತುದಿಯನ್ನು P ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಜೋಡಣೆಯನ್ನು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ .

ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಆವೇಶ ವಾಹಕಗಳು ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನಿಂದ ಏಕರ್ಷಿತವಾಗಿ ದೂರ ತಳ್ಳಲ್ಪಡುತ್ತವೆ . ಮತ್ತು ಜಂಕ್ಷನ್ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್‌ ಹರಿಯುವುದಿಲ್ಲ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆಯಲ್ಲಿ ಜಂಕ್ಷನ್ ಅಧಿಕ ರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ .

ಈ ರೀತಿ p – n ಜಂಕ್ಷನ್ ವಿದ್ಯುತ್ತನ್ನು ಒಂದೇ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಹರಿಯಲು ಬಿಡುತ್ತದೆ ಈ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ದಿಷ್ಟಿಕಾರಕ ಕ್ರಿಯೆ ( rectifying action ) ಎಂದೂ , ಸಾಧನವನ್ನು ದಿಷ್ಟಿಕಾರಕ ( rectifier ) ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ .

ಡೈಯೋಡಿನ ವಿದ್ಯುನ್ನಂಡಲ ಸಂಕೇತ ತೋರಿಸಿದೆ . p | ಭಾಗವನ್ನು ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು n ಭಾಗವನ್ನು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಎಂದು ಕರೆ ಯುತ್ತಾರೆ . ದಾಣದ ಚಿಹ್ನೆಯು p ಭಾಗದಿಂದ n ಭಾಗದ ಕಡೆಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ದಿಕ್ಕನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ .

ಆನ್ವಯಗಳು

ಡೈಯೋಡಿನ ದಿಷ್ಟಿಕಾರಕ ಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ತನ್ನು ಪತ್ತೆ ಮಾಡುವ ಕ್ರಿಯೆಗಳಿಂದಾಗಿ ಅದಕ್ಕೆ ಅನೇಕ ಆನ್ವಯಗಳಿವೆ .

1 ) ಪರ್ಯಾಯ ವಿದ್ಯುತ್‌ನ್ನು ( AC ) ನೇರ ವಿದ್ಯುತ್ತನ್ನಾಗಿ ( DC ) ಪರಿವರ್ತಿಸಲು ಡೈಯೋಡ್ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ .

2 ) ವೋಲ್ವೇಜ್ ಕ್ರಮಗೊಳಿಸುವ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ .

3 ) ಗಣಕಯಂತ್ರಗಳ ಛಾಜಿಕ್ ಮಂಡಲಗಳಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ .

ಟ್ರಾನ್ಸಫರ್

ಟ್ರಾನ್ಸಫರ್ ( Transfer resistor ) ಎಂಬ ಶಬ್ದಗಳ ಪ್ರಸ್ತ ರೂಪವೇ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಇದರ ಮೂಲಕ ಒಳಸೇರುವ ಯಾವುದೇ ವಿದ್ಯುತ್‌ ಸಂಜೆಯ ಹೊರಬರುವಾಗ ವರ್ಧನೆ ಹೊಂದುತ್ತದೆ .

ಇದು ಮೂರು ತುದಿ ( ಧ್ರುವ ) ( Terminal ) ಗಳಿರುವ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ರಚಿಸಿರುವ ಅಥವಾಹಕ ಸಾಧನ ಇದರಲ್ಲಿ

ಒಂದು p- ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಎರಡು 11 ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳ ನಡುವೆ ಲಗತ್ತಿಸಿರುವ ಸಾಧನ ( npnಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ) ಅಥವಾ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಎರಡು ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳ ನಡುವೆ ಲಗತ್ತಿಸಿ ( pip ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ) ರುತ್ತಾರೆ .

ಮಧ್ಯದ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಆಧಾರ ( base ) ಎಂದೂ ಎರಡು ತುದಿ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಉತ್ತರ್ಜಕ ಮತ್ತು ಸಂಗ್ರಹಕ ಎಂದೂ ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ

ಜಂಕ್ಷನ್ ಟಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅಥವಾ ಬೈಸೋಲಾರ್‌ ಜಂಕ್ಷನ್‌ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ತಯಾರಿಸಿದ ನಂತರ ಹಲವಾರು ಹೊಸ ನಮೂನೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಬಳಕೆಗೆ ಬಂದವು .

ಮೂರು ಬೆರಕೆ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಡುವೆ ಎರಡು pen ಜಂಕ್ಷನ್‌ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ .

n – p – n ಟಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

ಇದರಲ್ಲಿ ಒಂದು p ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶದ ಎರಡು ಬದಿಗೆ  ಎರಡು n- ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳಿರುತ್ತವೆ

p – n – p ಟ್ರಾಕ್ಟರ್‌

ಇದರಲ್ಲಿ ಒಂದು n- ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶದ ಎರಡು ಬದಿಗೆ ಎರಡು p ರೀತಿಯ ( ಉತ್ತರ್ಜಕ , ಸಂಗ್ರಾಹಕ ) ಪ್ರದೇಶಗಳಿರುತ್ತವೆ .

 ಮೂರು ಪ್ರದೇಶಗಳ ( ದಲಯಗಳ ) ವಿವರಣೆ

1 ) ಉಕರ್ಜಕ – ಆಸರಿಗೆ ಒಂದು ಬದಿಗೆ ಇರುವ ಈ ಪ್ರದೇಶವು ಸಾಧಾರಣ ಆಕಾರ , ಗಾತ್ರ ಹೊಂದಿದ್ದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಬೆರಕೆ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿರುತ್ತದೆ . ಇದು ಟಾಸ್ಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುವರು .

2 ) ಆಧಾರ – ಇದು ಮಧ್ಯದ ಪ್ರದೇಶ ಕಳುವಾಗಿದ್ದು , ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ಬೆರಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ , ಇದು ಉತ್ಸರ್ಜಕದಿಂದ ಸಂಗ್ರಾಹಕಕ್ಕೆ ಹರಿಯುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ .

3 ) ಸಂಗಾಹಕ – ಈ ಪ್ರದೇಶವು ಉತ್ಸರ್ಜಕದಿಂದ ಪೂರೈಸಲ್ಪಟ್ಟ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶಗಳನ್ನು ಸಂರ್ಗಹಿಸುತ್ತದೆ . ಆಕಾರದಲ್ಲಿ ಉತ್ಸರ್ಜಕಕ್ಕಿಂತ ದೊಡ್ಡದಿದ್ದು ಕಡಿಮೆ ತೀವ್ರತೆಯ ಬೆರಕೆಯನ್ನು ಪಡೆದಿರುತ್ತದೆ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ನ ಓಲುವೆ

ಟಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯ ವಿಧಾನದಲ್ಲಿ

1 ) ಉತ್ಸರ್ಜಕ – ಆಧಾರ ಜಂಕ್ಷನ್ ಮುನ್ನಡೆ ಓಲುವೆಯರು ,

2 ) ಸಂಗ್ರಾಹಕ – ಆಧಾರ ಜಂಕ್ಷನ್ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುವೆಯದು ,

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನ ಕಾರ್ಯ ವಿಧಾನ

n – p ಜಂಕ್ಷನ್ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತವಾಹವನ್ನು ಮುನ್ನಡೆಸಲು , ಆಧಾರ D ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ p- ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ಋಣ ವೋಲ್ವೇಜನ್ನು ಕೊಟ್ಟಿದೆ .

ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ವಿದ್ಯುತವಾಹವನ್ನು ತಡೆಯುವದಕೋಸ್ಕರ ಆಧಾರ P ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಸಂಭಂಧಿಸಿದಂತೆ ಸಂಗ್ರಾಹಕ  n- ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಅಧಿಕ ಧನ ವೋಲ್ಪೆಜನ್ನು ಕೊಡಲಾಗಿದೆ .

ಉತ್ಸರ್ಜಕದಿಂದ ಹೊರಟ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಸಂಗ್ರಾಹಕದಿಂದ ಆಕರ್ಷಿಸಲ್ಪಟ್ಟು ಬಾಹ್ಯಮಂಡಲದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯುತ್ತದೆ

ಸಾಮಾನ್ಯ ಉತ್ಸರ್ಜಕ ಪ್ರವರ್ಧನ ( common emitter Ampli fier ) ವಿದ್ಯುನ್ಮಂಡಲವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ . ಒಂದು ಲೋಧದ ಮೂಲಕ ದುರ್ಬಲ ಚರ ವೋಲ್ವೇಜನ್ನು ಉತ್ಸರ್ಜಕ – ಅಧಾರ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿ ಹಾಕಲಾಗಿದೆ .

ಇದಕ್ಕೆ ಮುಕ್ತ ವೋಲ್ಡನ್ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ . ನಿರ್ಗತ ವೋಲ್ವೇಜನ್ನು ರೋಧದ ಮೂಲಕ ( Load ) ಸಂಗ್ರಾಹಕ – ಭಕ್ತ ವೋಲ್ವೇಜಿನಲ್ಲಿಯ ಅಲ್ಪ ಬದಲಾವಣೆಯು ನಿರ್ಗಕ ವೋಲ್ವೇಜ್‌ನಲ್ಲಿ ಅಧಿಕ ಬದಲಾವಣೆಯಾಗಿ ಉತ್ತರ್ಜಕ ಮಂಡಲದಲ್ಲಿ ಒಯ್ಯಲಾಗಿದೆ . ಪರಿಣಮಿಸುತ್ತದೆ .

ಹೀಗೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ ಪ್ರವರ್ಧಕದಂತೆ ವರ್ತಿಸುತ್ತದೆ .

ಅತಿವಾಹಕತೆ

ತೀರ ಕನಿಷ್ಟ ಉಷ್ಣತಾಮಾನದಲ್ಲಿ ಕೆಲವೊಂದು ವಸ್ತುಗಳ ರೊಧವು ಅತ್ಯಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ( ಶೂನ್ಯ ಪ್ರಮಾಣಕ್ಕೆ ಹತ್ತಿರ ) ಹೊಂದುವ ವಿದ್ಯಮಾನಕ್ಕೆ ಅತಿವಾಹಕತೆ ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ .

1911 ರಲ್ಲಿ ಎಚ್.ಕೆಮರ್‌ಲಿಂಗ್ ಓನ್ಸ್ ‘ ಎಂಬ ವಿಜ್ಞಾನಿ ಪಾದರಸದಲ್ಲಿ ಈ ವಿದ್ಯಮಾನವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಂಡನು . 4.2 K ಉಷ್ಣತಾಮಾನದಲ್ಲಿ ಪಾದರಸದ ರೋಧವು ಶೂನ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ . ಈ ಗುಣ ಹೊಂದಿದ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಅತಿವಾಹಕಗಳೆಂದು ಹೆಸರು ,

ಕ್ರಾಂತಿ ತಾಪ

ಯಾವ ತಾಪಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ತಾಪದಲ್ಲಿ ವಸ್ತುವು ಆತಿವಾಹಕವಾಗುವದೋ ಅದಕ್ಕೆ ಕ್ರಾಂತಿ ತಾಪ ಎನ್ನವರು ( T )

ಲ್ಯಾಂಥನಮ್ , ಬೇರಿಯಮ್ , ಮತ್ತು ತಾಮ್ರಗಳ ಸಂಯುಕ್ತ ಆಕ್ಸಿಡು 40 K ತಾಪದಲ್ಲಿ ಆತಿವಾಹಕತೆ ಹೊಂದುತ್ತದೆಂಬುದನ್ನು ಅಮೇರಿಕದ ಬೆಲೆ ಪ್ರಯೋಗಶಾಲೆಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡು ಹಿಡಿಯಲಾಗಿದೆ .

ಒಮ್ಮೆ ಆತಿವಾಹಕದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಹಿಸಿದರೆ ಅದು ತುಂಬಾಕಾಲದವರೆಗೆ ಶಕ್ತಿಗುಂದದೇ ಮುಂದುವರೆಯುತ್ತದೆ .

ಭಾರತೀಯ ವಿಜ್ಞಾನ ಸಂಸ್ಥೆ ( IISC ) ಯಲ್ಲಿ ಪ್ರೊ.ಸಿ.ಎನ್.ಆರ್.ರಾವ್ ಅವರ ನೇತೃತ್ವದಲ್ಲಿ ಆತಿವಾಹಕತೆ ಬಗ್ಗೆ ಗಣನೀಯ ಕಾರ್ಯ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ .

ಇತ್ತೀಚೆಗೆ ಭಾರತ ಸರಕಾರವು ಇವರಿಗೆ ಭಾರತರತ್ನ ಪುರಸ್ಕಾರವನ್ನು ನೀಡಿ ಗೌರವಿಸಿದೆ ,

ಆತಿವಾಹಕಗಳ ಉಪಯೋಗ

1 ) ಶಕ್ತಿಯುತ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತವೆ

2 ) ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪದ ಅತಿವಾಹಕಗಳನ್ನ ಮೈಕ್ರೋವೆವ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ .

3 ) ಅತಿವಾಹಕ ಕಾಂತಗಳನ್ನು ( MRI ) ಕಾಂತೀಯ ಅನುರಣನ ಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ . ವಿದ್ಯುತ್ ಕೋಶವನ್ನು